Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
15,376 Em Estoque
Precisa de mais?
Envio no mesmo dia
Faça o pedido antes das 21h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.273 |
| 25+ | $ 0.144 |
| 50+ | $ 0.119 |
| 100+ | $ 0.093 |
| 250+ | $ 0.086 |
| 500+ | $ 0.078 |
| 1000+ | $ 0.076 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 9000+ | $ 0.061 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDV301N
Código Newark58K8856
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id220mA
On Resistance Rds(on)3.1ohm
Drain Source On State Resistance4ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd350mW
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max850mV
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDV301N is a surface mount, N channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been especially tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance, this one N channel FET can replace several different digital transistors with different bias resistor values. FDV301N is suitable for low voltage and power management applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 25V
- Gate to source voltage of 8V
- Continuous drain current (Id) of 220mA
- Power dissipation (Pd) of 350mW
- Low on state resistance of 3.1ohm at Vgs 4.5V
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
On Resistance Rds(on)
3.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
350mW
Gate Source Threshold Voltage Max
850mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
220mA
Drain Source On State Resistance
4ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDV301N
1 produto encontrado
Produtos associados
7 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos