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NTS4173PT1G
MOSFET, P-CH, -30V, -1.2A, SOT-323
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.402 |
| 10+ | $ 0.256 |
| 25+ | $ 0.227 |
| 50+ | $ 0.198 |
| 100+ | $ 0.169 |
| 250+ | $ 0.152 |
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Vários: 5
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTS4173PT1G
Código Newark81Y7057
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.2A
On Resistance Rds(on)0.09ohm
Drain Source On State Resistance0.15ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd290mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.15V
Power Dissipation290mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.09ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Power Dissipation Pd
290mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.15V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.2A
Drain Source On State Resistance
0.15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
290mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentação técnica (1)
Alternativas para NTS4173PT1G
1 produto encontrado
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
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Rastreabilidade de produtos