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BSH103,215
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 850MA, 3-SOT-23
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.403 |
| 25+ | $ 0.309 |
| 50+ | $ 0.258 |
| 100+ | $ 0.216 |
| 250+ | $ 0.182 |
| 500+ | $ 0.155 |
| 1000+ | $ 0.126 |
| 2500+ | $ 0.107 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.40
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteBSH103,215
Código Newark75R4687
Ficha técnica
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Alternativas para BSH103,215
1 produto encontrado
Descrição geral do produto
The BSH103 from NXP is a surface mount, N channel enhancement mode MOS transistor in SOT-23 package using TrenchMOS technology. This transistor features very low threshold, high speed switching, no secondary breakdown and direct interface to CMOS, TTL. BSH103 is designed and qualified for use in high frequency applications, glue logic interface between logic blocks or periphery, computing, battery powered applications.
- Suitable for use with all 5V logic families
- Suitable for very low gate drive sources
- Drain to source voltage (Vds) of 30V
- Gate to source voltage of ±8V
- Drain current (Id) of 850mA
- Power dissipation (Pd) of 750mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Aplicações
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Especificações Técnicas
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jan-2018)
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