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IRLML5203TRPBF
P CHANNEL MOSFET, -30V, 3A, SOT-23
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLML5203TRPBF
Código Newark97K2353
Gama de produtosHEXFET Series
Seu número de peça
Ficha técnica
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Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.371 |
| 10+ | $ 0.244 |
| 25+ | $ 0.217 |
| 50+ | $ 0.190 |
| 100+ | $ 0.163 |
| 250+ | $ 0.148 |
| 500+ | $ 0.134 |
| 1000+ | $ 0.124 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.095 |
| 12000+ | $ 0.090 |
| 24000+ | $ 0.080 |
| 36000+ | $ 0.077 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLML5203TRPBF
Código Newark97K2353
Gama de produtosHEXFET Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3A
On Resistance Rds(on)0.098ohm
Drain Source On State Resistance0.098ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.25W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRLML5203PBF is -30V single P channel HEXFET power MOSFET in Micro3 (SOT-23) package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, ruggedness, fast switching, as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications like battery management, portable electronics, PCMCIA cards and ideal for applications where printed circuit board space is at a premium.
- Drain to source voltage (Vds) of -30V
- Gate to source voltage of ±20V
- On resistance Rds(on) of 98mohm at Vgs -10V
- Power dissipation Pd of 1.25W at 25°C
- Continuous drain current Id of -3A at vgs -10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.098ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Drain Source On State Resistance
0.098ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.25W
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IRLML5203TRPBF
2 produtos encontrados
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto