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IRFB3206PBF
MOSFET Transistor, N Channel, 210 A, 60 V, 3 mohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes
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Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 33 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.400 |
| 10+ | $ 1.690 |
| 100+ | $ 1.620 |
| 500+ | $ 1.370 |
| 1000+ | $ 1.280 |
| 3000+ | $ 1.230 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.40
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFB3206PBF
Código Newark61M6826
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source On State Resistance3000µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
3000µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Rastreabilidade de produtos