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IRF5305PBF
Power MOSFET, HEXFET®, P Channel, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF5305PBF
Código Newark63J7317
Gama de produtosHEXFET Series
Também conhecido porSP001564354
Seu número de peça
Ficha técnica
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.700 |
| 10+ | $ 1.320 |
| 100+ | $ 0.721 |
| 500+ | $ 0.594 |
| 1000+ | $ 0.551 |
| 4000+ | $ 0.542 |
| 10000+ | $ 0.526 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.70
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF5305PBF
Código Newark63J7317
Gama de produtosHEXFET Series
Também conhecido porSP001564354
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id31A
On Resistance Rds(on)0.06ohm
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd110W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRF5305PBF is -55V single P channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is -55V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 60mohm at Vgs of -10V
- Power dissipation Pd of 110W at 25°C
- Continuous drain current Id of -31A at Vgs -10V and 25°C
- Junction temperature range from -55°C to 175°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
On Resistance Rds(on)
0.06ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
31A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
110W
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
7 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos