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IPW60R070CFD7XKSA1
MOSFET, N-CH, 600V, 31A, 150DEG C, 156W
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPW60R070CFD7XKSA1
Código Newark43AC9330
Gama de produtosCoolMOS CFD7
Seu número de peça
Ficha técnica
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 7.360 |
| 10+ | $ 5.700 |
| 25+ | $ 4.420 |
| 50+ | $ 4.280 |
| 100+ | $ 4.100 |
| 480+ | $ 3.960 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 7.36
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPW60R070CFD7XKSA1
Código Newark43AC9330
Gama de produtosCoolMOS CFD7
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance70mohm
On Resistance Rds(on)0.057ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation156W
Power Dissipation Pd156W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
600V CoolMOS™ CFD7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and suitable for soft switching topologies, optimized for phase-shift full-bridge (ZVS), LLC applications-server, telecom, EV charging.
- Ultra-fast body diode
- Low gate charge
- Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)
- Improved MOSFET reverse diode dv/dt and diF/dt ruggedness
- Lowest FOM RDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss
- Excellent hard commutation ruggedness
- Highest reliability for resonant topologies
- Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off
- Enabling increased power density solutions
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
70mohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFD7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31A
On Resistance Rds(on)
0.057ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IPW60R070CFD7XKSA1
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
WARNINGProposition 65