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IPG20N06S2L35ATMA1
MOSFET, N-CH, 55V, 20A, TDSON ROHS COMPLIANT: YES
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Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 24 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5000+ | $ 0.556 |
| 10000+ | $ 0.528 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 5000
Vários: 5000
$ 2,780.00
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPG20N06S2L35ATMA1
Código Newark99AK9899
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.028ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.028ohm
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel65W
Power Dissipation P Channel65W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.028ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
65W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.028ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
65W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Alternativas para IPG20N06S2L35ATMA1
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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