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2EP130RXTMA1
GATE DRIV, IGBT, SICMOSFET, 2CH, TSSOP-8 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricante2EP130RXTMA1
Código Newark
Rodo à Medida18AM3051
Segmento de fita18AM3051
Seu número de peça
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.000 | $ 2.00 |
| Total Preço | $ 2.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.000 |
| 10+ | $ 1.560 |
| 25+ | $ 1.450 |
| 50+ | $ 1.390 |
| 100+ | $ 1.330 |
| 250+ | $ 1.270 |
| 500+ | $ 1.230 |
| 1000+ | $ 1.200 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricante2EP130RXTMA1
Código Newark
Rodo à Medida18AM3051
Segmento de fita18AM3051
No. of Channels2Channels
Gate Driver TypeIsolated
Driver ConfigurationFull Bridge
Power Switch TypeGaN HEMT, IGBT, SiC MOSFET
No. of Pins8Pins
IC Case / PackageTSSOP
IC MountingSurface Mount
Input TypeLogic
Source Current-
Sink Current10mA
Supply Voltage Min4.5V
Supply Voltage Max20V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max125°C
Input Delay280ns
Output Delay280ns
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
No. of Channels
2Channels
Driver Configuration
Full Bridge
No. of Pins
8Pins
IC Mounting
Surface Mount
Source Current
-
Supply Voltage Min
4.5V
Operating Temperature Min
-40°C
Input Delay
280ns
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Gate Driver Type
Isolated
Power Switch Type
GaN HEMT, IGBT, SiC MOSFET
IC Case / Package
TSSOP
Input Type
Logic
Sink Current
10mA
Supply Voltage Max
20V
Operating Temperature Max
125°C
Output Delay
280ns
Qualification
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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