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2EP110RXTMA1
GATE DRIV, IGBT, SICMOSFET, 2CH, TSSOP-8 ROHS COMPLIANT: YES
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricante2EP110RXTMA1
Código Newark18AM3050
No. of Channels2Channels
Gate Driver TypeIsolated
Driver ConfigurationFull Bridge
Power Switch TypeGaN HEMT, IGBT, SiC MOSFET
No. of Pins8Pins
IC Case / PackageTSSOP
IC MountingSurface Mount
Input TypeLogic
Source Current-
Sink Current10mA
Supply Voltage Min4.5V
Supply Voltage Max20V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max125°C
Input Delay280ns
Output Delay280ns
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
No. of Channels
2Channels
Driver Configuration
Full Bridge
No. of Pins
8Pins
IC Mounting
Surface Mount
Source Current
-
Supply Voltage Min
4.5V
Operating Temperature Min
-40°C
Input Delay
280ns
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Gate Driver Type
Isolated
Power Switch Type
GaN HEMT, IGBT, SiC MOSFET
IC Case / Package
TSSOP
Input Type
Logic
Sink Current
10mA
Supply Voltage Max
20V
Operating Temperature Max
125°C
Output Delay
280ns
Qualification
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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