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DIW040F135
IGBT, 80 A, 2.1 V, 510 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pins
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteDIW040F135
Código Newark16AM8160
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 16 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 8.220 |
| 10+ | $ 7.530 |
| 25+ | $ 6.990 |
| 50+ | $ 6.630 |
| 100+ | $ 6.270 |
| 250+ | $ 5.500 |
| 500+ | $ 5.380 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 8.22
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Informação do produto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteDIW040F135
Código Newark16AM8160
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage2.1V
Power Dissipation510W
Collector Emitter Voltage Max1.35kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCLead
Especificações Técnicas
Continuous Collector Current
80A
Power Dissipation
510W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.1V
Collector Emitter Voltage Max
1.35kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
Lead
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos