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TP65H035G4WSQA
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Through Hole
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FabricanteRENESAS
Nº da peça do fabricanteTP65H035G4WSQA
Código Newark97AK4776
Gama de produtosSuperGaN Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 16.030 |
| 10+ | $ 10.170 |
| 25+ | $ 10.160 |
| 50+ | $ 10.140 |
| 100+ | $ 10.130 |
| 250+ | $ 9.730 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 16.03
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Informação do produto
FabricanteRENESAS
Nº da peça do fabricanteTP65H035G4WSQA
Código Newark97AK4776
Gama de produtosSuperGaN Series
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id47.2A
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Typical Gate Charge22nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
AEC-Q101
Continuous Drain Current Id
47.2A
Typical Gate Charge
22nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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