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IRF840PBF-BE3
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRF840PBF-BE3
Código Newark78AH6386
Gama de produtosIRF840 Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.830 |
| 10+ | $ 1.740 |
| 25+ | $ 1.580 |
| 50+ | $ 1.420 |
| 100+ | $ 1.260 |
| 500+ | $ 1.170 |
| 1000+ | $ 1.120 |
| 2500+ | $ 1.090 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.83
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRF840PBF-BE3
Código Newark78AH6386
Gama de produtosIRF840 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.85ohm
On Resistance Rds(on)0.85ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
Power Dissipation Pd125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeIRF840 Series
SVHCLead
Descrição geral do produto
Notas
BE3 suffix indicates non China production - not subject to US import tariffs
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.85ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
Lead
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.85ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
125W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
IRF840 Series
Documentação técnica (2)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos