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APT36N90BC3G
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 36 mA, 0.1 ohm, TO-247, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 15 Semana(s)
Informação do produto
FabricanteMICROSEMI
Nº da peça do fabricanteAPT36N90BC3G
Código Newark79R4880
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds900V
Continuous Drain Current Id36mA
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd390W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleTO-247
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation390W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Jul-2017)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
36mA
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Power Dissipation Pd
390W
Transistor Case Style
TO-247
Power Dissipation
390W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Jul-2017)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Jul-2017)
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