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SUD50P06-15-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUD50P06-15-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante62 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo71T8061
Re-reeling (Rollos a medida)16P3891RL
Cinta adhesiva16P3891
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.960 | $3.96 |
| Total Precio | $3.96 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.960 |
| 50+ | $2.200 |
| 100+ | $2.020 |
| 250+ | $1.890 |
| 500+ | $1.620 |
| 1000+ | $1.590 |
| 2500+ | $1.560 |
| 5000+ | $1.520 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2000+ | $1.130 |
| 6000+ | $1.050 |
| 10000+ | $1.030 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUD50P06-15-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante62 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo71T8061
Re-reeling (Rollos a medida)16P3891RL
Cinta adhesiva16P3891
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia de Activación Rds(on)0.012ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.015
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El SUD50P06-15-GE3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal P de 60V con disipación de potencia a 2.5W. Este MOSFET de potencia está diseñado para el interruptor de carga.
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.012ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.015
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SUD50P06-15-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto