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SISS61DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS61DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark42AJ0521
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 6000+ | $0.791 |
Precio para:Cada
Mínimo: 6000
Múltiple: 6000
$4,746.00
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS61DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark42AJ0521
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id111.9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3500
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900
Disipación de Potencia65.8
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
111.9
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
65.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3500
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen III
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SISS61DN-T1-GE3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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