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SIS862ADN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 52 A, 0.0072 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS862ADN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark42AJ0532
Rango de ProductoTrenchFET Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.030 |
| 10+ | $0.902 |
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| 500+ | $0.658 |
| 1000+ | $0.591 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS862ADN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark42AJ0532
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id52
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0072
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia39
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
52
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
39
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0072
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SIS862ADN-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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