Imprimir página
SIS590DN-T1-GE3
DUAL MOSFET, N & P-CH, 100V, 4A, 150DEGC ROHS COMPLIANT: YES
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS590DN-T1-GE3
No. Parte Newark50AJ6063
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
5,330 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.710 |
| 10+ | $1.140 |
| 25+ | $1.030 |
| 50+ | $0.919 |
| 100+ | $0.809 |
| 250+ | $0.741 |
| 500+ | $0.673 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.71
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS590DN-T1-GE3
No. Parte Newark50AJ6063
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P100V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.197ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.197ohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N23.1W
Disipación de Potencia de Canal P23.1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.197ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
23.1W
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.197ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia de Canal N
23.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto