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SIS415DNT-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 35A, POWERPAK 1212-8S ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS415DNT-T1-GE3
No. Parte Newark57AJ0412
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
Hoja de datos técnicos
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1,512 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.080 |
| 10+ | $0.755 |
| 25+ | $0.693 |
| 50+ | $0.631 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS415DNT-T1-GE3
No. Parte Newark57AJ0412
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id35A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia52W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4000µohm
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen III
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
35A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
Disipación de Potencia
52W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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