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SIRA60DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 100 A, 940 µohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.780 | $2.78 |
| Total Precio | $2.78 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.780 |
| 10+ | $1.880 |
| 25+ | $1.710 |
| 50+ | $1.530 |
| 100+ | $1.360 |
| 250+ | $1.250 |
| 500+ | $1.140 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRA60DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)99Y9654RL
Cinta adhesiva99Y9654
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)780µohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente940
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2
Disipación de Potencia57
Disipación de Potencia Pd57W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
MOSFET de canal N de 30 V (D-S) adecuado para su uso en rectificación síncrona, CD/CD de alta densidad de potencia y VRM y CD/CD embebidos.
- MOSFET de potencia TrenchFET® Gen IV
- 100% probados Rg y UIS
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
780µohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
57
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
940
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2
Disipación de Potencia Pd
57W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIRA60DP-T1-GE3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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