Imprimir página
SIRA60DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 100 A, 940 µohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
17 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.780 | $2.78 |
| Total Precio | $2.78 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.780 |
| 10+ | $1.880 |
| 25+ | $1.710 |
| 50+ | $1.530 |
| 100+ | $1.360 |
| 250+ | $1.250 |
| 500+ | $1.140 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRA60DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)99Y9654RL
Cinta adhesiva99Y9654
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente940
Resistencia de Activación Rds(on)780µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2
Disipación de Potencia Pd57W
Disipación de Potencia57
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
MOSFET de canal N de 30 V (D-S) adecuado para su uso en rectificación síncrona, CD/CD de alta densidad de potencia y VRM y CD/CD embebidos.
- MOSFET de potencia TrenchFET® Gen IV
- 100% probados Rg y UIS
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
940
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
57W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
780µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2
Disipación de Potencia
57
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIRA60DP-T1-GE3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto