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SIA433EDJ-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 12 A, 0.018 ohm, PowerPAK SC-70, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA433EDJ-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79R5403
Cinta adhesiva79R5403
Rango de ProductoSerie TrenchFET
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.904 | $0.90 |
| Total Precio | $0.90 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.904 |
| 25+ | $0.560 |
| 50+ | $0.470 |
| 100+ | $0.379 |
| 250+ | $0.342 |
| 500+ | $0.304 |
| 1000+ | $0.270 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA433EDJ-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79R5403
Cinta adhesiva79R5403
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id12A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.018ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SC-70
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente500
Disipación de Potencia3.5
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SIA433EDJ-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 20 VDS adecuado para aplicaciones de interruptor de carga, interruptor de batería y interruptor de cargador.
- Nuevo paquete PowerPAK® térmicamente mejorado
- Área de pequeña huella
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Probado Rg 100%
- Construido en protección ESD con diodo Zener
- Desempeño ESD de 1800V
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SC-70
Disipación de Potencia Pd
3.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
500
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
12A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.018ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
3.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
Serie TrenchFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIA433EDJ-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto