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SIA421DJ-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 1A, SC-70
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2,780 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.610 | $1.61 |
| Total Precio | $1.61 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.610 |
| 50+ | $1.020 |
| 100+ | $0.676 |
| 250+ | $0.603 |
| 500+ | $0.530 |
| 1000+ | $0.484 |
| 2500+ | $0.454 |
| 5000+ | $0.423 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA421DJ-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)57AJ0362RL
Cinta adhesiva57AJ0362
Rango de ProductoTrench
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.035ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSC-70
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia3.5W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrench
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.035ohm
Diseño de Transistor
SC-70
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
3.5W
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
Trench
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
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US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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