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SI7106DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 19.5 A, 0.0062 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7106DN-T1-GE3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)12R3254
Cinta adhesiva12R3254
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 100+ | $1.680 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7106DN-T1-GE3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)12R3254
Cinta adhesiva12R3254
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id19.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0062
Resistencia de Activación Rds(on)0.0062ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3.8W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente600
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Disipación de Potencia3.8
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0062
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
19.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0062ohm
Disipación de Potencia Pd
3.8W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
600
Disipación de Potencia
3.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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