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SI4909DY-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal P, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.021 ohm
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4909DY-T1-GE3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6508
Cinta adhesiva70AC6508
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.260 |
| 10+ | $0.794 |
| 25+ | $0.705 |
| 50+ | $0.617 |
| 100+ | $0.529 |
| 250+ | $0.472 |
| 500+ | $0.415 |
| 1000+ | $0.379 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4909DY-T1-GE3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6508
Cinta adhesiva70AC6508
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40
Intensidad Drenador Continua Id8A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N8
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.021
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.021
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.2
Disipación de Potencia de Canal P3.2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SI4909DY-T1-GE3 es un MOSFET de doble canal P alojado en un paquete de montaje en superficie. Es adecuado para aplicaciones de conmutadores de carga, notebook y PC de escritorio.
- Libre de halógenos
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% probados Rg y UIS
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
8
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.021
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3.2
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.021
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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