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SI2302CDS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2302CDS-T1-GE3
No. Parte Newark
Hilado completo73W9408
Cinta adhesiva16P3702
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Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.818 |
| 25+ | $0.531 |
| 50+ | $0.448 |
| 100+ | $0.364 |
| 250+ | $0.328 |
| 500+ | $0.291 |
| 1000+ | $0.267 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.177 |
| 6000+ | $0.169 |
| 12000+ | $0.147 |
| 18000+ | $0.145 |
| 30000+ | $0.142 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2302CDS-T1-GE3
No. Parte Newark
Hilado completo73W9408
Cinta adhesiva16P3702
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id2.9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.057
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)2.5
Disipación de Potencia Pd710mW
Diseño de TransistorTO-236
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente850
Disipación de Potencia710
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza SI2302CDS-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El SI2302CDS-T1-GE3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal N de 20 V para uso en conmutación de carga para dispositivos portátiles.
- Voltaje de compuerta a fuente de ±8V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.057
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
710mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
850
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.9
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
2.5
Diseño de Transistor
TO-236
Disipación de Potencia
710
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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