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IRFP150PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 41 A, 0.055 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFP150PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante72 semanas
No. Parte Newark63J6849
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.440 |
| 10+ | $5.260 |
| 25+ | $4.070 |
| 50+ | $3.760 |
| 100+ | $3.500 |
| 250+ | $3.270 |
| 500+ | $3.040 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFP150PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante72 semanas
No. Parte Newark63J6849
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id41
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.055
Resistencia de Activación Rds(on)0.055ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd230W
Diseño de TransistorTO-247
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia230
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El IRFP150PBF es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente y baja resistencia de encendido. El paquete proporciona mayores distancias de fuga entre los pines para cumplir con los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Facilidad de paralelismo
- Clasificado avalancha repetitiva
- Orificio de montaje central aislado
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 175°C
- Requerimientos controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.055
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
230W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
41
Resistencia de Activación Rds(on)
0.055ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia
230
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRFP150PBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto