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IRFD9014PBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, HVMDIP, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFD9014PBF
No. Parte Newark19K8162
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id1.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.5
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd1.3W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorHVMDIP
Disipación de Potencia1.3
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.5ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
HVMDIP
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.5
Disipación de Potencia Pd
1.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
1.3
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto