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IRFD120PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, HVMDIP, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFD120PBF
No. Parte Newark19K8154
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFD120PBF
No. Parte Newark19K8154
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id1.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.27ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.27ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd1.3W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Diseño de TransistorHVMDIP
Disipación de Potencia1.3W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Resumen del producto
El IRFD120PBF es un MOSFET de potencia de canal N de 100V, el MOSFET de potencia HEXFET® de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente y baja resistencia. El paquete es un estilo de caja insertable por máquina que se puede apilar en múltiples combinaciones en centros de pin estándar de 0.1 pulgada. El drenaje doble sirve como enlace térmico a la superficie de montaje para niveles de disipación de energía de hasta 1W.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Fácil conexión paralela
- Requerimiento controlador sencillo
- Para inserción automática
- Final apilable
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.27ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
HVMDIP
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.3A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.27ohm
Disipación de Potencia Pd
1.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
1.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto