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IRF9510PBF
MOSFET Transistor, P Channel, 3 A, 100 V
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF9510PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante33 semanas
No. Parte Newark97K2245
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.060 |
| 10+ | $0.904 |
| 100+ | $0.807 |
| 500+ | $0.731 |
| 1000+ | $0.580 |
| 2500+ | $0.489 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.06
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF9510PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante33 semanas
No. Parte Newark97K2245
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.2ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia20W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3A
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
20W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.2ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Alternativas para el número de pieza IRF9510PBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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