Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF720PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark63J7374
Su número de pieza
1,000 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $1.180 |
| 2500+ | $1.090 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1000
Múltiple: 1000
$1,180.00
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF720PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark63J7374
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400
Intensidad Drenador Continua Id3.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.8
Resistencia de Activación Rds(on)1.8ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd50W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-220
Disipación de Potencia50
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (16-Jan-2020)
Resumen del producto
El IRF720PBF es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente y baja resistencia de encendido. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La baja resistencia térmica del paquete contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Facilidad de paralelismo
- Requerimientos controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.8
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (16-Jan-2020)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.3
Resistencia de Activación Rds(on)
1.8ohm
Disipación de Potencia Pd
50W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRF720PBF
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (16-Jan-2020)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
