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2N5116
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 30 V, -25 mA, 4 V, TO-206AA, 3 Pines, 200 °C
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FabricanteVISHAY
No. Parte Fabricante2N5116
No. Parte Newark13C1999
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte Fabricante2N5116
No. Parte Newark13C1999
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente30V
Voltaje de Ruptura Vbr30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula-5mA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero-25mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta4V
Diseño de TransistorTO-206AA
Tipo de TransistorJFET
No. de Pines3 Pines
Tipo de CanalCanal P
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
-5mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
4V
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal P
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Ruptura Vbr
30V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
-25mA
Diseño de Transistor
TO-206AA
No. de Pines
3 Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto