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TK32E12N1,S1X(S
MOSFET de Potencia, Canal N, 120 V, 60 A, 11 mohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK32E12N1,S1X(S
No. Parte Newark09AK8691
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.390 |
| 10+ | $1.220 |
| 100+ | $0.983 |
| 500+ | $0.892 |
| 1000+ | $0.802 |
| 2500+ | $0.688 |
| 10000+ | $0.672 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK32E12N1,S1X(S
No. Parte Newark09AK8691
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds120
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente11
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia98
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
120
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
98
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
11
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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