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SSM3K361R,LXHF(T
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K361R,LXHF(T
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)03AM3040
Cinta adhesiva03AM3040
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
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Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.547 |
| 10+ | $0.447 |
| 25+ | $0.395 |
| 50+ | $0.352 |
| 100+ | $0.301 |
| 250+ | $0.265 |
| 500+ | $0.209 |
| 1000+ | $0.201 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K361R,LXHF(T
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)03AM3040
Cinta adhesiva03AM3040
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id3.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.069
Diseño de TransistorSOT-23F
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia1.2
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.5
Diseño de Transistor
SOT-23F
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1.2
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.069
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
U-MOSVIII-H Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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