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GT40WR21,Q(O
IGBT, 40 A, 2.9 V, 375 W, 1.8 kV, TO-3P, 3 Pines
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteGT40WR21,Q(O
No. Parte Newark54AK6519
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $10.440 |
| 10+ | $9.400 |
| 25+ | $8.560 |
| 50+ | $7.970 |
| 100+ | $7.440 |
| 300+ | $6.240 |
| 500+ | $6.050 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteGT40WR21,Q(O
No. Parte Newark54AK6519
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua40
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.9
Disipación de Potencia375
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.8
Diseño de TransistorTO-3P
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
40
Disipación de Potencia
375
Diseño de Transistor
TO-3P
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.9
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.8
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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