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2SK208-R(TE85L,F)
Transistor JFET, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pines, 125 °C
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SK208-R(TE85L,F)
No. Parte Newark10AK1276
Hoja de datos técnicos
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5,535 En Inventario
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260 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
5275 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.400 |
| 10+ | $0.318 |
| 25+ | $0.281 |
| 50+ | $0.244 |
| 100+ | $0.207 |
| 250+ | $0.183 |
| 500+ | $0.158 |
| 1000+ | $0.133 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.40
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SK208-R(TE85L,F)
No. Parte Newark10AK1276
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente50V
Voltaje de Ruptura Vbr0
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero6.5mA
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula0
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta5V
Diseño de TransistorTO-236MOD
No. de Pines3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Tipo de Transistor0
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
50V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
6.5mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
5V
No. de Pines
3 Pin
Tipo de Transistor
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Calificación
-
Voltaje de Ruptura Vbr
0
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
0
Diseño de Transistor
TO-236MOD
Temperatura de Trabajo Máx.
125°C
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto