2SK208-O(TE85L,F)

Transistor JFET, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pines, 125 °C

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TOSHIBA 2SK208-O(TE85L,F)
FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SK208-O(TE85L,F)
No. Parte Newark10AK1275
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Información del producto

FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SK208-O(TE85L,F)
No. Parte Newark10AK1275
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr0
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente50V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero6.5mA
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula0
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta5V
Diseño de TransistorTO-236MOD
No. de Pines3 Pin
Tipo de Transistor0
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised

Especificaciones técnicas

Voltaje de Ruptura Vbr

0

Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero

6.5mA

Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta

5V

No. de Pines

3 Pin

Temperatura de Trabajo Máx.

125°C

Montaje de Transistor

Surface Mount

Calificación

-

Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente

50V

Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula

0

Diseño de Transistor

TO-236MOD

Tipo de Transistor

0

Tipo de Canal

N Channel

Rango de Producto

-

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

To Be Advised

Documentos técnicos (1)

Legislación y medioambiente

US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto