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CSD19533Q5A
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 100A, SON-8
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FabricanteTEXAS INSTRUMENTS
No. Parte FabricanteCSD19533Q5A
No. Parte Newark28AH2107
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 25+ | $1.950 |
| 50+ | $1.890 |
| 100+ | $1.830 |
| 250+ | $1.790 |
| 500+ | $1.760 |
| 1000+ | $1.740 |
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Información del producto
FabricanteTEXAS INSTRUMENTS
No. Parte FabricanteCSD19533Q5A
No. Parte Newark28AH2107
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9400µohm
Diseño de TransistorSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia3.2W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9400µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Disipación de Potencia
3.2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
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