Imprimir página
STW5NK100Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 1 kV, 3.5 A, 3.7 ohm, TO-247, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW5NK100Z
No. Parte Newark38K7936
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 24 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.190 |
| 10+ | $4.380 |
| 120+ | $3.430 |
| 510+ | $2.920 |
| 1020+ | $2.540 |
| 2520+ | $2.350 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$5.19
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW5NK100Z
No. Parte Newark38K7936
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1
Intensidad Drenador Continua Id3.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.7
Resistencia de Activación Rds(on)3.7ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia125
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STW5NK100Z es un SuperMESH3™ N-channel Power MOSFET con carga de puerta minimizada. Este nuevo MOSFET de potencia SuperMESH™ es el resultado de mejoras de diseño adicionales en el diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST. Además de una resistencia de ENCENDIDO significativamente menor, el dispositivo ofrece una capacidad superior de dV/dt para garantizar un rendimiento óptimo incluso en las aplicaciones más exigentes. El dispositivo SuperMESH™ complementa aún más una amplia gama de MOSFET de alto voltaje innovadores, que incluye los revolucionarios productos MDmesh™.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- 100% prueba de avalancha
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.7
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.5
Resistencia de Activación Rds(on)
3.7ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
125W
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto