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STN1HNK60.
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 500 mA, 8 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark28AC3403
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark28AC3403
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id500mA
Resistencia de Activación Rds(on)8ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3.3W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Diseño de TransistorSOT-223
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia3.3W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
8ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
500mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8ohm
Disipación de Potencia Pd
3.3W
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia
3.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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