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STL4N80K5
MOSFET, N CH, 800V, 2.5A, POWERFLAT-8
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL4N80K5
No. Parte Newark45AC7617
Rango de ProductoMDmesh K5
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL4N80K5
No. Parte Newark45AC7617
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id2.5
Resistencia de Activación Rds(on)2.1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.5
Diseño de TransistorPowerFLAT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd38W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia38
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh K5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
STL4N80K5 is a very high voltage N-channel power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency. applications include switching applications.
- Industry’s lowest RDS(on) x area, industry’s best figure of merit (FoM)
- Ultra-low gate charge, 100% avalanche tested, Zener protected
- 800V minimum drain-source breakdown voltage (VGS = 0, ID = 1mA, TC = 25°C)
- 2.5ohm maximum static drain-source on resistance (VGS = 10V, ID = 1.5A, TC = 25°C)
- 2.5A maximum source-drain current (TC = 25°C)
- 3 to 5V gate threshold voltage range (VDS = VGS, ID = 100µA, TC = 25°C)
- 175pF typical input capacitance (VDS = 100V, f = 1MHz, VGS = 0, TC = 25°C)
- 20pF typical output capacitance (VDS = 100V, f = 1MHz, VGS = 0, TC = 25°C)
- 10.5nC typical total gate charge (VDD = 640V, ID = 3A, VGS = 10V)
- PowerFLAT™ package, operating junction temperature range from -55 to 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia de Activación Rds(on)
2.1ohm
Diseño de Transistor
PowerFLAT
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
MDmesh K5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.5
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
38W
Disipación de Potencia
38
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto