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STE88N65M5
MOSFET, N-CH, 650V, 88A, ISOTOP
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTE88N65M5Copiar
No. Parte Newark45AC7547
Rango de ProductoMDmesh V
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTE88N65M5Copiar
No. Parte Newark45AC7547
Rango de ProductoMDmesh V
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id88A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia de Activación Rds(on)0.024ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd494W
Disipación de Potencia494W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh V
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
88A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.024ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
494W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024ohm
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
494W
Rango de Producto
MDmesh V
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto