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STD1NK60T4
MOSFET POT, CANAL N, 600V, 500MA
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| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STD1NK60T4Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 16 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo86AK6455 Re-reeling (Rollos a medida)33R1142RL Cinta adhesiva33R1142 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
34,317 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.830 | $1.83 |
| Total Precio | $1.83 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.830 |
| 50+ | $0.906 |
| 100+ | $0.815 |
| 250+ | $0.735 |
| 500+ | $0.655 |
| 1000+ | $0.642 |
| 2500+ | $0.629 |
| 5000+ | $0.616 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.567 |
| 5000+ | $0.541 |
| 7500+ | $0.515 |
| 12500+ | $0.505 |
| 25000+ | $0.494 |
| 62500+ | $0.484 |
nota de línea
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Información del producto
| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STD1NK60T4Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 16 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo86AK6455 Re-reeling (Rollos a medida)33R1142RL Cinta adhesiva33R1142 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600V |
| Intensidad Drenador Continua Id | 500mA |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 8.5ohm |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 8ohm |
| Diseño de Transistor | TO-252 (DPAK) |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Disipación de Potencia Pd | 30W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3V |
| Disipación de Potencia | 30W |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
El STD1NK60T4 es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ con carga de compuerta minimizada. El SuperMESH™ se obtiene a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes. Este MOSFET complementa la gama ST completa de MOSFET de potencia de alto voltaje, incluidos los revolucionarios productos MDmesh™.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Capacidad ESD mejorada
- 100% prueba de avalancha
- Nuevo punto de referencia de alta tensión
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 500mA |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 8ohm |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Disipación de Potencia Pd | 30W |
| Disipación de Potencia | 30W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600V |
|---|---|
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 8.5ohm |
| Diseño de Transistor | TO-252 (DPAK) |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3V |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD1NK60T4
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |