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STD1NK60T4
MOSFET POT, CANAL N, 600V, 500MA
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD1NK60T4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6455
Re-reeling (Rollos a medida)33R1142RL
Cinta adhesiva33R1142
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.740 | $8.70 |
| Total Precio | $8.70 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.740 |
| 10+ | $1.120 |
| 15+ | $1.050 |
| 25+ | $0.978 |
| 50+ | $0.907 |
| 125+ | $0.772 |
| 250+ | $0.757 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.574 |
| 7500+ | $0.522 |
| 12500+ | $0.512 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD1NK60T4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6455
Re-reeling (Rollos a medida)33R1142RL
Cinta adhesiva33R1142
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id500mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8.5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)8ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd30W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia30W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STD1NK60T4 es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ con carga de compuerta minimizada. El SuperMESH™ se obtiene a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes. Este MOSFET complementa la gama ST completa de MOSFET de potencia de alto voltaje, incluidos los revolucionarios productos MDmesh™.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Capacidad ESD mejorada
- 100% prueba de avalancha
- Nuevo punto de referencia de alta tensión
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
500mA
Resistencia de Activación Rds(on)
8ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
30W
Disipación de Potencia
30W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8.5ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD1NK60T4
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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