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STD13NM60N
MOSFET, N-CH, 600V, 11A, TO-252
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD13NM60N
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33X1194
Cinta adhesiva33X1194
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220 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.910 | $3.91 |
| Total Precio | $3.91 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.910 |
| 10+ | $2.650 |
| 25+ | $2.410 |
| 50+ | $2.170 |
| 100+ | $1.930 |
| 250+ | $1.830 |
| 500+ | $1.660 |
| 1000+ | $1.570 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD13NM60N
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33X1194
Cinta adhesiva33X1194
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id11
Resistencia de Activación Rds(on)0.28ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.28
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia90
Disipación de Potencia Pd90W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza STD13NM60N
6 productos encontrados
Resumen del producto
- MOSFET de potencia MDmesh™ II de 600V y 11A de canal N en paquete DPAK de 3 pines
- Probado avalancha 100%
- Capacitancia de entrada baja y carga de puerta
- Baja resistencia de entrada de compuerta
- Apto para aplicaciones de conmutación
- Adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0.28ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
90
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.28
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia Pd
90W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto