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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTBR3012G2Y-TR
No. Parte Newark03AH3135
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.930 |
| 10+ | $2.960 |
| 25+ | $2.720 |
| 50+ | $2.490 |
| 100+ | $2.250 |
| 250+ | $2.150 |
| 500+ | $2.040 |
| 1000+ | $1.950 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTBR3012G2Y-TR
No. Parte Newark03AH3135
Hoja de datos técnicos
Voltaje Reverso Pico Repetitivo1.2kV
Corriente Directa Promedio30A
Configuración de DiodoSingle
Voltaje Directo Máx.1.3V
Tiempo de Recuperación Inversa-
Corriente de Sobretensión Directa300A
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Estilo de la Carcasa del DiodoD2PAK HV
No. de Pines3Pines
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
1.2kV
Configuración de Diodo
Single
Tiempo de Recuperación Inversa
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
No. de Pines
3Pines
Calificación
AEC-Q101
Corriente Directa Promedio
30A
Voltaje Directo Máx.
1.3V
Corriente de Sobretensión Directa
300A
Estilo de la Carcasa del Diodo
D2PAK HV
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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