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STB10NK60ZT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 4.5 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STB10NK60ZT4Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 17 semanas |
| No. Parte Newark | 33R1094 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.440 |
| 10+ | $3.690 |
| 100+ | $2.700 |
| 500+ | $2.400 |
| 1000+ | $2.350 |
| 2500+ | $2.300 |
| 10000+ | $2.260 |
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Información del producto
| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STB10NK60ZT4Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 17 semanas |
| No. Parte Newark | 33R1094 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 4.5 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.65 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.65ohm |
| Diseño de Transistor | TO-263 (D2PAK) |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia Pd | 115W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3.75 |
| Disipación de Potencia | 115 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
El STB10NK60ZT4 es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener y carga de puerta minimizada. Este MOSFET de potencia se desarrolló utilizando la tecnología SuperMESH™ de STMicroelectronics, lograda a través de la optimización del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST. Además de una reducción significativa en la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- 100% prueba de avalancha
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 4.5 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.65ohm |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Disipación de Potencia Pd | 115W |
| Disipación de Potencia | 115 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
|---|---|
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.65 |
| Diseño de Transistor | TO-263 (D2PAK) |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3.75 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
| Trazabilidad del producto |