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SCT012H90G3AG
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, H2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT012H90G3AG
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)04AM0269
Cinta adhesiva04AM0269
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $23.950 |
| 10+ | $17.300 |
| 25+ | $17.280 |
| 50+ | $17.270 |
| 100+ | $17.250 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT012H90G3AG
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)04AM0269
Cinta adhesiva04AM0269
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id110A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0158ohm
Diseño de TransistorH2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia625W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
110A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0158ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900V
Diseño de Transistor
H2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
625W
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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