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PD55008-E
RF FET, 40V, 4A, POWERSO-10RF
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricantePD55008-E
No. Parte Newark51AC9372
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 10+ | $11.390 |
| 25+ | $11.030 |
| 50+ | $10.450 |
| 100+ | $10.290 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricantePD55008-E
No. Parte Newark51AC9372
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id4A
Disipación de Potencia52.8W
Disipación de Potencia Pd0
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.-
Diseño de TransistorPowerSO-10RF
Encapsulado de Transistor RF0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.165°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Disipación de Potencia
52.8W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Diseño de Transistor
PowerSO-10RF
No. de Pines
3Pines
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Disipación de Potencia Pd
0
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
-
Encapsulado de Transistor RF
0
Temperatura de Trabajo Máx.
165°C
Montaje de Transistor
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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