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M1P45M12W2-1LA
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 30A
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteM1P45M12W2-1LA
No. Parte Newark14AM7688
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 21 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $80.070 |
| 5+ | $78.360 |
| 10+ | $76.660 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$80.07
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteM1P45M12W2-1LA
No. Parte Newark14AM7688
Configuración de Módulo MOSFETSixPack
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id30A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0605ohm
Diseño de TransistorACEPACK DMT
No. de Pines32Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
SixPack
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0605ohm
No. de Pines
32Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
ACEPACK DMT
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
-
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto